MJE350G, биполярный транзистор 300 В 0.5 А
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
MJE350G, PNP транзистор 300В 0,5А 20Вт TO-225-3
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
Hfe при токе коллектора, А: 0.05
Hfe при напряжении к-э, В: 10
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 20
Корпус: TO-126
Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150
Может заинтересовать
КТ816Г, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 3
BC547C-DIO, BC547C TO-9 (формованные выводы, бум.лента 4000)
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
