Mitsubishi Electric

MGF0918A-03, GaAs FET полевой транзистор , материал - арсенид галия, центральная частота рабочего д

Запросить предложение

Описание

MGF0918A-03, GaAs FET полевой транзистор , материал – арсенид галия, центральная частота рабочего д

Может заинтересовать

Транзисторы HOTTECH

MMBTH10, биполярный транзистор 30 В 50 мА

Структура: NPN

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 30

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.05

Запросить предложение

Транзисторы NEX-NXP

BC847CW, SOT323

Структура: NPN

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 45

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45

Запросить предложение

Транзисторы Кремний ЭЛ

КТ630А, биполярный транзистор

Структура: NPN

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 120

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 120

Запросить предложение