BC807, биполярный транзистор 45 В 0.5 А
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 45
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
BC807,215, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.25Вт
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 45
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 80
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.25
Корпус: SOT-23-3
Может заинтересовать
2N7002K-T1-GE3, N канал транзистор 60В 300мА SOT-23-3 (TO-236)
Структура: N-канал
Корпус: SOT-23-3
FMMT458TA, NPN SMD transistors
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 400
BC847BW, биполярный транзистор 50 В 0.1 А
Структура: NPN
Корпус: SOT-323