FMMT458TA, NPN SMD transistors
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.225
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
FMMT458TA — биполярный транзистор. Применяется в ключевых и усилительных каскадах электронной аппаратуры. Подтверждённые для карточки параметры/исполнение: NPN. При подборе следует ориентироваться на точный артикул изделия.
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.225
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.5
Корпус: SOT-23-3
Может заинтересовать
IRLML6302TRPBF, полевой транзистор 20 В 0.62 А
Корпус: SOT-23
IRLML0060TRPBF, полевой транзистор 60 В 2.7 А
Корпус: SOT-23
BC807-40, PNP транзистор в пластиковом корпусе, -50В, -500мА, 300мВт (SOT-23)
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45