BC807-40, PNP транзистор в пластиковом корпусе, -50В, -500мА, 300мВт (SOT-23)
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 250
BC807-40, PNP транзистор в пластиковом корпусе, -50В, -500мА, 300мВт (SOT-23)
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 250
Hfe при токе коллектора, А: 0.1
Hfe при напряжении к-э, В: 1
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 80
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.25
Корпус: SOT-23-3
Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150
Может заинтересовать
2SK1317-E, транзистор N канал Si 1.5кВ 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Структура: N-канал
Корпус: TO-3P
IRF640SPBF, транзистор N канал 200В 18А D2Pak
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 18
IRF5305STR-VB, транзистор Р канал -55В -31А D2Pak
Корпус: D2PAK