BC847,215, SOT-23
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 110
BC847 — биполярный транзистор. Применяется в ключевых и усилительных каскадах электронной аппаратуры. Подтверждённые для карточки параметры/исполнение: NPN, корпус SOT-23. При подборе следует ориентироваться на точный артикул изделия.
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 110
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.25
Корпус: SOT-23-3
Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150
Может заинтересовать
HCD80R1K4E, полевой транзистор 800 В 4 А
Корпус: DPAK/TO-252AA
2Т913А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 55
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.5
![BC847C, NPN транзистор, 80В, 0.1A, 200мВт [SOT-23]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-82.jpg)
BC847C, NPN транзистор, 80В, 0.1A, 200мВт [SOT-23]
Структура: NPN
Корпус: SOT-23-3