![BC857A, двунаправленный PNP транзистор, -50B, -100мА, 200мВт [SOT-23]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-88.jpg)
BC857A, двунаправленный PNP транзистор, -50B, -100мА, 200мВт [SOT-23]
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.2
Корпус: SOT-23-3
BC857A — биполярный транзистор. Применяется в ключевых и усилительных каскадах электронной аппаратуры. Подтверждённые для карточки параметры/исполнение: PNP, корпус SOT-23. При подборе следует ориентироваться на точный артикул изделия.
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.2
Корпус: SOT-23-3
Может заинтересовать
IRLML6401TRPBF, полевой транзистор 12 В 4.3 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 4/-3
ULN2803A, сборка транзисторов Дарлингтона
Uвх., В: 30
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
КТ602АМ, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.075