BCP53-16, двунаправленный PNP транзистор. -100В, -1А, 1.5Вт [SOT-223] = PNP 80В 1А = BCP53-16 T1G
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
BCP53-16 — биполярный транзистор. Применяется в ключевых и усилительных каскадах электронной аппаратуры. Подтверждённые для карточки параметры/исполнение: PNP, 100 В, 1 А, корпус SOT-223. При подборе следует ориентироваться на точный артикул изделия.
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Hfe при токе коллектора, А: 0.15
Hfe при напряжении к-э, В: 2
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 125
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2
Корпус: SOT-223
Диапазон рабочих температур, гр.С: -65...150
![BCP53-16, двунаправленный PNP транзистор. -100В, -1А, 1.5Вт [SOT-223] = PNP 80В 1А = BCP53-16 T1G](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/910157-25.jpg)