BCX53-16, биполярный транзистор 100 В 1 А
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.5
Корпус: SOT-89
BCX53-16, двунаправленный PNP транзистор, -100В, -1А, 500мВт [SOT-89]
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.5
Корпус: SOT-89
Может заинтересовать
SI2312, полевой транзистор 20 В 5 А
Структура: N-канал
Корпус: SOT-23
YJG40G10A, полевой транзистор 100 В 40 А
Структура: N-канал
Корпус: PDFN5060
IRF5803D2PBF, полевой транзистор 40 В 3.4 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -3.4