IPB60R120P7ATMA1 — полевой MOSFET-транзистор. Предназначен для коммутации и управления нагрузкой в импульсных и силовых схемах. Подтверждённые для карточки параметры/исполнение: 600 В, 26 А, корпус D2PAK. При подборе следует ориентироваться на точный артикул изделия.
Может заинтересовать
SS8050, двунаправленный NPN транзистор, 40B, 1.5А, 250мВт (SOT-323)
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1.5
BC846BLT1G, биполярный транзистор 80 В 100 мА
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
IRFB7434PBF, полевой транзистор 40 В 195 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 195