MMBT2907ALT1G, SOT-23
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
MMBT2907ALT1G — биполярный транзистор. Применяется в ключевых и усилительных каскадах электронной аппаратуры. Подтверждённые для карточки параметры/исполнение: корпус SOT-23. При подборе следует ориентироваться на точный артикул изделия.
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Hfe при токе коллектора, А: 0.15
Hfe при напряжении к-э, В: 10
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.225
Корпус: SOT-23-3
Диапазон рабочих температур, гр.С: -55...150
Может заинтересовать
КП103К1, полевой транзистор
Структура: P-FET
Максимальное напряжение питания, В: 4
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.038
IRF540NPBF, полевой транзистор 100 В 33 А
Структура: N-канал
Корпус: TO-220AB
IRF7828TRPBF, транзистор N канал 30В 13.6А SO8
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 13.июн