SI2301BDS-T1-E3, Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Корпус: SOT-23-3
SI2301BDS-T1-E3 — полевой MOSFET-транзистор. Предназначен для коммутации и управления нагрузкой в импульсных и силовых схемах. Подтверждённые для карточки параметры/исполнение: 20 В, 2.2 А, корпус SOT-23. При подборе следует ориентироваться на точный артикул изделия.
Корпус: SOT-23-3
Может заинтересовать
КТ3129Г9, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
TIP42C, биполярный транзистор 100 В 6 А
Структура: PNP
Корпус: TO-220
1Т403И, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60