YJS12G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 12A, 3.1Вт (SOP-8) = IRF7853TRPB
YJS12G10A — полевой MOSFET-транзистор. Предназначен для коммутации и управления нагрузкой в импульсных и силовых схемах. Подтверждённые для карточки параметры/исполнение: P-канал, 12 А, корпус SOP-8. При подборе следует ориентироваться на точный артикул изделия.
Может заинтересовать
IRF2807PBF, полевой транзистор 75 В 82 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 82
КТ801Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
КТ816Г, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 3