КТ3102Г, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 400
КТ3102Г, транзистор биполярный
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 400
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.25
Корпус: KT-1-7 (TO-18)
Может заинтересовать
КТ503В, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
HKTQ30P03, полевой транзистор 30 В 60 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 60