2SK3878 — высоковольтный N-канальный силовой MOSFET Toshiba поколения π-MOS IV. Транзистор рассчитан на напряжение сток–исток до 900 В и непрерывный ток стока до 9 А.
Исполнение TO-3P(N) предназначено для выводного монтажа и применяется в высоковольтных силовых каскадах, включая импульсные источники питания и преобразователи.
Максимальное сопротивление открытого канала составляет 1,3 Ом при VGS = 10 В. При подборе необходимо учитывать допустимые напряжение, ток, тепловой режим и корпус.
ООО НТП «Интенсив» поставляет 2SK3878 и другие силовые транзисторы Toshiba под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Таблица дополнена подтверждёнными управляющими, динамическими, тепловыми и эксплуатационными параметрами, важными при расчёте потерь, драйвера затвора и теплового режима.
Основные параметры 2SK3878
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Модель / артикул | 2SK3878 |
| Производитель | Toshiba |
| Тип | N-канальный силовой MOSFET |
| VDS | 900 В |
| ID | 9 А |
| RDS(on), max | 1,3 Ом при VGS=10 В |
| Корпус | TO-3P(N) |
| Монтаж | Through-Hole |
| Ciss | тип. 2200 пФ |
| Выводов | 3 |
| Технология | π-MOS IV |
| Размер корпуса | 15,5×20,0×4,5 мм |
| Статус | Not Recommended for New Design |
Документация производителя
Может заинтересовать
