FQB33N10LTM — N-канальный силовой QFET MOSFET производства onsemi. Точное обозначение изделия подтверждено официальной документацией производителя.
FQB33N10LTM рассчитан на напряжение сток–исток 100 В и ток стока до 33 А. Максимальное сопротивление открытого канала — 52 мОм при VGS = 10 В и ID = 16,5 А. Исполнение — D2PAK.
НТП «Интенсив» поставляет FQB33N10LTM под заказ. При подборе и замене компонента следует ориентироваться на точное заказное обозначение и официальную техническую документацию производителя.
В расширенной таблице ниже приведены также подтверждённые управляющие, динамические и тепловые параметры, важные при расчёте драйвера затвора, потерь переключения и теплового режима.
Основные параметры
| Модель | FQB33N10LTM |
| Производитель | onsemi |
| Тип | QFET MOSFET |
| Канал | N-канал |
| VDS | 100 В |
| ID | 33 А |
| RDS(on) | ≤52 мОм @ VGS=10 В, ID=16,5 А |
| Корпус | D2PAK |
| Tj max | +175 °C |
| Qg | тип. 30 нКл |
| Crss | тип. 70 пФ |
| Технология | QFET, planar stripe / DMOS |
| Температура перехода | до +175 °C |
| Монтаж | SMD |
Может заинтересовать
WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
Структура: N-канал
Корпус: TO
2Т203А, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
BC846BLT1G, биполярный транзистор 80 В 100 мА
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1