IRF6216TRPBF, полевой транзистор 150 В 2.2 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: -150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -2.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 240
IRF6216TRPBF, транзистор Pкан -150В -2.2А SO8
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: -150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -2.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 240
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2.5
Крутизна характеристики S,мА/В: 2.7
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOIC-8
Может заинтересовать
BC857C, биполярный транзистор 50 В 100 мА
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
BC846BLT1G, биполярный транзистор 80 В 100 мА
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
![SI2300A, [SOT-23]; 20V 6A 25mR@4.5V,6A 1V@50?A N Channel MOSFETs ROHS;=FDN337N(ON);=SI2300DS(Vishay)](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-211.jpg)