IRF7420TRPBF, полевой транзистор 12 В 11.5 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -11.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -0.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 14
IRF7420TRPBF, транзистор P канал 12В -11.5А SO8
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -11.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -0.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 14
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2.5
Крутизна характеристики S,мА/В: 32
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOIC-8
Может заинтересовать
IRF840SPBF, полевой транзистор 500 В 8 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 8
IRF3205LPBF, полевой транзистор 55 В 110 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 110
SI3900DV-T1-GE3
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 02.апр