IRF840SPBF, полевой транзистор 500 В 8 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 850
IRF840SPBF, транзистор N канал 500В 8А D2Pak
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 850
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 125
Крутизна характеристики S,мА/В: 4.9
Температура, С: -55…+150
Корпус: D2Pak-2
Может заинтересовать
STP4NK80Z, Транзисторы и сборки MOSFET
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 4
IRFR320TRPBF, полевой транзистор 400 В 3.1 А
Структура: N-канал
Корпус: DPAK/TO-252AA
BC856B, биполярный транзистор 80 В 100 мА
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 65