IRF9Z34NSTRLPBF — P-канальный силовой MOSFET производства Infineon. Точное обозначение изделия подтверждено официальной документацией производителя.
IRF9Z34NSTRLPBF рассчитан на −55 В и ток стока до −19 А. Максимальное сопротивление открытого канала составляет 100 мОм при VGS = −10 В. Корпус — D2PAK.
НТП «Интенсив» поставляет IRF9Z34NSTRLPBF под заказ. При подборе и замене компонента следует ориентироваться на точное заказное обозначение и официальную техническую документацию производителя.
В расширенной таблице ниже приведены также подтверждённые управляющие, динамические и тепловые параметры, важные при расчёте драйвера затвора, потерь переключения и теплового режима.
Основные параметры
| Модель | IRF9Z34NSTRLPBF |
| Производитель | Infineon |
| Тип | MOSFET |
| Канал | P-канал |
| VDS | −55 В |
| ID | −19 А |
| RDS(on) | ≤100 мОм @ VGS=−10 В |
| Корпус | D2PAK |
| Рассеиваемая мощность | 68 Вт |
| VGS max | ±20 В |
| VGS(th) | −2…−4 В, тип. −3 В |
| Qg | тип. 23,3 нКл @10 В |
| Qgd | 10,7 нКл |
| RthJC | 2,2 К/Вт |
| Tj max | +175 °C |
| Монтаж | SMD |
| MSL | 1 |
Может заинтересовать
IRF840SPBF, полевой транзистор 500 В 8 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 8
YJL2312AL, полевой транзистор 20 В 7.6 А
Структура: N-канал
Корпус: SOT-23-3
IRLML0040, полевой транзистор 40 В 3.6 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.июн