IRLML0040, полевой транзистор 40 В 3.6 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.июн
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 56
IRLML0040, N-канальный MOSFET транзистор низкого напряжения, 40В, 3.6А [Micro3/SOT-23]
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.июн
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 56
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1.3
Крутизна характеристики S,мА/В: 6.2
Температура, С: -55…+150
Корпус: Micro3/SOT23
Может заинтересовать
КТ818Г, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 90
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 90
BC846BS, биполярный транзистор 65 В 100 мА
Структура: NPN
Корпус: SOT-363-6
КТ503Д, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60