IRFU110PBF, полевой транзистор 100 В 4.3 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 04.мар
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 540
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 25
IRFU110PBF, транзистор MOSFET N канал 100В 4.3A 3-Pin
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 04.мар
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 540
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 25
Температура, С: -55…+150
Корпус: DPAK/TO-252AA
Может заинтересовать
IPD60R600PFD7SAUMA1, полевой транзистор 650 В 14 А
Структура: N-канал
Корпус: DPAK/TO-252AA
NCE25TD120VT, IGBT транзистор 1200 В 25 А
Максимальное напряжение питания, В: 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 25
Корпус: TO-247
КТ3157А, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.03