SI4056DY-T1-GE3, Транзистор, канал N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R
Может заинтересовать
MMBTH10, биполярный транзистор 30 В 50 мА
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.05
![BC857BW, пластиковый капсулированный PNP транзистор, -50В, -100мА, 150мВт [SOT-323]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900142-9.jpg)
