2Т3129Д9, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 200
2Т3129Д9, транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.2
Корпус: KT-46
Может заинтересовать
IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650 В 30 А
Максимальное напряжение питания, В: 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 30
Корпус: TO-247
STW15NK50Z, MOSFET транзистор
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 14
