IRFL9014TRPBF, полевой транзистор 60 В 1.8 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 500
IRFL9014TRPBF, транзистор P канал -60В -1.8А SOT223
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 500
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 3.1
Крутизна характеристики S,мА/В: 1.3
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOT-223-3
Может заинтересовать
STW15NK50Z, MOSFET транзистор
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 14
КТ3126А, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.02
IRFBC30A, транзистор
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.июн