SS8550, биполярный транзистор 25 В 1.5 А
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 120
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1
SS8550, Биполярный транзистор, PNP, -25 В 1 Вт -1.5 А 120 hFE TO-92
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 120
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1
Корпус: TO-92
Может заинтересовать
IRFBC30A, транзистор
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.июн
IRFR9N20DPBF, полевой транзистор 200 В 9.4 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 09.апр
MJE350G, биполярный транзистор 300 В 0.5 А
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 300