Не нашли нужную позицию в каталоге?
Наши специалисты помогут подобрать оптимальное решение.
транзисторы полевые импортные
Производитель
Корпус
Максимальное напряжение питания, В
Температура, С
IRF7205TRPBF, P канал транзистор -305В -4.6А SO-8
Корпус: SOIC-8
![IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/97-338.jpg)
IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8]
Структура: 2N-канал
Корпус: SOIC-8
IRF7303TRPBF, 2N канал транзистор 30В 5.3А SO8
Структура: 2N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 05.фев
IRF7303TRPBF, транзистор 2N канал 30В 5.3А SO8
Структура: 2N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 05.фев
IRF7304TRPBF, SOIC8
Корпус: SOIC-8
IRF7304TRPBF, транзистор 2P канал -20В -4.7А SO8
Корпус: SOIC-8
IRF7307TRPBF, SO-8
Структура: N&P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20/-20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 5.2/-4.3
IRF7307TRPBF, транзистор N/P канал 20В 5.2 -4.3А SO8
Структура: N&P-канал
Корпус: SOIC-8
IRF7309TRPBF, N/P кан транзистор 30B 4/-3A SO8
Структура: N&P-канал
Корпус: SOIC-8
IRF7309TRPBF, транзистор N/Pкан 30B 4/-3A SO8
Структура: N&P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30/-30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 4/-3