Каталог Производители Доставка и оплата О компании Контакты Новости
Запросить предложение
  • Контакты

  • г. Нижний Новгород,

    ул. Невская, д. 19А, оф. 109

  • +7 (831) 212-83-33

  • Пн - Пт: с 09:00 до 17:30 (Мск)

  •                            

    info@ntp-int.ru

                           
Запросить предложение
Каталог Производители Доставка и оплата О компании Контакты Новости

Производитель
Макс.напр.к-э,В
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
Защита от перегрева

Показано 17–32 из 67 результатов


IGBT модули


Фото

Маркировка / Производитель

CM600DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 600A 50кГц NFH серия

CM600DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 600A 50кГц NFH серия

Производитель: Mitsubishi
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 600

Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 5

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 600

Структура модуля: полумост

Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах

Максимальная частота переключения, кГц: 60

Входная емкость затвора,нФ: 95

Драйвер управления: VLA500

Защита по току: нет

Защита от короткого замыкания: нет

Защита от перегрева: нет

Защита от пониженного напряжения питания: нет

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1550

Максимальный ток эмиттера, А: 1200

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 6

Напряжение эмиттер-коллектор,В: 5

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс: 120

Напряжение изоляции: 2500

Запросить предложение
CM75DY-34A, модуль 2 IGBT 1700В 75A 5 поколение A серия

CM75DY-34A, модуль 2 IGBT 1700В 75A 5 поколение A серия

Производитель: Mitsubishi
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 1700

Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 75

Структура модуля: полумост

Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах

Максимальная частота переключения, кГц: 15

Входная емкость затвора,нФ: 18.5

Драйвер управления: внешний

Защита по току: нет

Защита от короткого замыкания: нет

Защита от перегрева: нет

Защита от пониженного напряжения питания: нет

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 780

Максимальный ток эмиттера, А: 150

Напряжение изоляции: 3500

Запросить предложение
CM75E3U-12H, модуль 3 IGBT 600В 75А 3 поколение U серия

CM75E3U-12H, модуль 3 IGBT 600В 75А 3 поколение U серия

Производитель: Mitsubishi
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 600

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 75

Структура модуля: одиночный транзистор

Защита от перегрева: нет

Запросить предложение
CM800DU-12H, IGBT U-Series модуль 800А 600В

CM800DU-12H, IGBT U-Series модуль 800А 600В

Производитель: Mitsubishi
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 600

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 800

Защита от перегрева: нет

Запросить предложение
CM800DX-24T1, IGBT модуль 800А 1200В T1 серия NX типа

CM800DX-24T1, IGBT модуль 800А 1200В T1 серия NX типа

Производитель: Mitsubishi
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 800

Структура модуля: полумост

Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах

Защита от перегрева: нет

Запросить предложение
CM900DUC-24S, IGBT модуль Ic (nom): 900 А; Vce (max): 1200 В

CM900DUC-24S, IGBT модуль Ic (nom): 900 А; Vce (max): 1200 В

Производитель: Mitsubishi
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 900

Структура модуля: полумост

Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах

Защита от перегрева: нет

Запросить предложение
CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В

CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В

Производитель: Mitsubishi
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 25

Тип силового модуля: CIB интеллектуальный модуль

Защита от перегрева: нет

Запросить предложение
CP30TD1-12A, IGBT модуль 30A 600В

CP30TD1-12A, IGBT модуль 30A 600В

Производитель: Mitsubishi
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 600

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 30

Тип силового модуля: CIB интеллектуальный модуль

Защита от перегрева: нет

Запросить предложение
DFI300HF17DF1, 1700V/300A Half Bridge 62 mm IGBT

DFI300HF17DF1, 1700V/300A Half Bridge 62 mm IGBT

Производитель:
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 1700

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 300

Структура модуля: полумост

Запросить предложение
DFI450HF17I4RE1P, IGBT модуль 1700V 450A полумост press-fit

DFI450HF17I4RE1P, IGBT модуль 1700V 450A полумост press-fit

Производитель:
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 1700

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 450

Структура модуля: полумост

Запросить предложение
DFI600HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3

DFI600HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3

Производитель:
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 600

Структура модуля: полумост

Запросить предложение
DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC

DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC

Производитель:
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 800

Структура модуля: 3-х фазный

Запросить предложение
GD100HFY120C1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200 V, аналог для CM100DY-24T

GD100HFY120C1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200 V, аналог для CM100DY-24T

Производитель: Starpower
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 100

Запросить предложение
GD150HFL120C8S, IGBT , Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1071

GD150HFL120C8S, IGBT , Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1071

Производитель: Starpower
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150

Запросить предложение
GD150HFY120C1S, Advanced Trench FS IGBT, =SKM145GB128D-CASED61, CM150DY-24T

GD150HFY120C1S, Advanced Trench FS IGBT, =SKM145GB128D-CASED61, CM150DY-24T

Производитель: Starpower
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150

Запросить предложение
GD150HFY120C6S, Силовой модуль, 1200В 150A, аналог CM150DX-24S

GD150HFY120C6S, Силовой модуль, 1200В 150A, аналог CM150DX-24S

Производитель: Starpower
Все характеристики

Макс.напр.к-э,В: 1200

Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 150

Структура модуля: одиночный транзистор

Тип силового модуля: Одиночный транзистор

Запросить предложение

Не нашли нужную позицию в каталоге?

Напишите на электронную почту
или воспользуйтесь формой запроса предложения

Производители

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

А

В

Г

Д

Е

З

И

К

М

Н

П

Р

С

Т

Ф

Х

Э

Я

A
ACME AD Aimtec Aishi Anshan Suly Arlight ATMEL AVX
B
Bourns Bourns BPS Broadcom/Avago
C
CCO CEIEC CHINT Cirmaker CIXI CONNFLY COSMO Crydom CYPRESS
D
Daier DC Components DECA SwitchLab DIN Diodes Inc. Diotec Semicond. DIPTRONICS Dragon City
E
EMAS EMERSON ETHER Evercool Everohms Technology
F
Fenghua Finder Foryard FRONTER Fulihao Tech
G
G-NOR Gainta Gangyuan Geehy GigaDevice
H
Honeywell Hongda Hongfa Relay HOTTECH HTC Taejin Huei Juann
I
Infineon
J
Jamicon JEC JIANLI JIULONG JST Just Make
K
Keisum KEMET Kingbright Kingtronics KIPPRIBOR KLS Electronic Kss
L
LGE LHE Littlefuse LONGLI LUMEL
M
Maxim MEAN WELL Microchip Mitsubishi Molex Mony Industrial MORNSUN Motorola Murata Murata PS
N
NationStar NCR NEX-NXP NXU
O
Omron On Semiconductor
P
Panasonic Pol-sun Electronic Power Integrati
R
REASUNOS RELPOL Rexant
S
Samsung Sanhe Enclosure SGMicro Shenler Shinhom SJK Song Huei Elec. ST Microelectronics Starpower SunRoyal Switronic
T
TAIYI TDK EPCOS TDM electric TE Connectivity Texas Instruments Thinking Tokyo Parts Toshiba TRACO TRR TTI
U
UMW Uni-Ohm
V
VBSEMI Vishay
W
WCH Welwyn
X
XIANGYEE
Y
Yageo Yangjie (YJ) Yeng Tat Electronics YJ
Z
Zeasset ZENITHSUN
А
Альфа
В
Вниисимс
Г
Гонконг
Д
Далекс Днепр
Е
Европа
З
Зубова Поляна
И
ИНТЕГРАЛ
К
КВАЗАР Кермет Китай Кремний
М
МЕЗОН Микро-М Микрон
Н
НЗПП
П
Протон
Р
Ресурс РЗМКП Россия
С
СЗТП СКЗ США
Т
Тайвань Транзистор
Ф
ФАП
Х
ХРЗ
Э
ЭЛЕКС Электроинтер
Я
Япония